三星电子 全球首家量产20纳米级移动存储器
—— 旨在全面扩大其4Gb DRAM市场
日前，三星电子发布，其全球首家批量生产20纳米级工艺的4GbLPDDR2DRAM，旨在全面扩大其4Gb DRAM市场。
本文引用地址：http://www.amcfsurvey.com/article/133108.htm三星电子继2012年3月开始批量生产20纳米级8GBDDR3笔记本电脑模块，4月又开始批量生产20纳米级4GbLPDDR2DRAM，从而成了拥有业界最大高端4Gb存储生产线的厂商。
据了解，20纳米级4GbDRAM产品群，不仅能够提供全球最为“超薄”、“大容量”、“高性能”的手机解决方案，而且其最小的芯片尺寸，可实现超薄设计。因此，该产品成为了创新企业及手机生产厂商推出的下一代系统时确保其优势的核心要素。
三星电子2011年3月开始批量生产了30纳米级存储器。此次业界首家批量生产最小尺寸20纳米级存储，意味着三星电子不仅能够确保在30纳米级移动存储以及20纳米级移动存储领域的竞争优势，而且将继续引领移动存储市场的领先地位。
三星电子存储器事业部战略营销部洪完勋副社长表示，“2011年三星电子凭借业界首家批量生产30纳米级4GbDRAM，扩大了市场份额。2012年，则通过20纳米级4Gb的批量生产，有望实现进一步差异化高端存储器市场目标。今年下半年，将继续加大20纳米级的比重,从而抢占高端市场，进而加强竞争优势。”
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