中国氧化物TFT背板技术在京东方结硕

　　中国大陆首块氧化物TFT液晶屏(18.5英寸HD Oxide TFT-LCD)及首块氧化物AMOLED显示屏(4英寸WQVGA Oxide AMOLED)在京东方研发成功，同时，相关工艺技术及设计开发也已完成。这标志着我国氧化物TFT背板技术研制已经达到业界先进水平，也将进一步推动我国在AMOLED等新型显示产品的研制进程。

　　氧化物TFT即Oxide TFT背板技术，是与传统a-Si TFT制程相近的背板技术，它将原本应用于a-Si TFT的硅半导体材料部分置换成氧化物半导体(现在应用最广泛的是a-IGZO(amorphous Indium Gallium Zinc Oxide, 铟镓锌氧化物)来形成TFT 半导体层。

　　氧化物TFT相对于a-Si TFT具有制备温度要求低，迁移率高等优势，可应用于高频显示和高分辨率显示产品，且相对于低温多晶硅TFT制造领域具有设备投资成本低、运营保障成本低等优点。

　　特别值得一提的是，氧化物TFT还是AMOLED新型显示技术研发制造的关键技术。AMOLED显示要解决量产、大尺寸制造等问题，首先需要解决的就是TFT背板开发问题。氧化物TFT技术的成功开发弥补了大尺寸AMOLED背板技术的缺陷，势必成为推动AMOLED显示产品进一步量产化的关键技术。而应用Oxide TFT技术的液晶屏及AMOLED显示屏，其综合性能将远高于同类a-Si TFT产品。