创毅联合中移动MWC2012上展示TD-LTE多模方案

　　2012年2月27日，2012年世界移动通信大会(MWC2012)在巴塞罗那隆重举行，世界移动通信大会是全球规模最大的通信年度盛会。

　　国内领先的移动通信终端芯片解决方案厂商创毅联合中国移动在MWC2012上共同演示了LTE多模、单模数据卡和CPE等多款终端产品，其中TD-LTE多模数据卡既支持TDD/FDD共模，也向下支持TD-SCDMA、GSM多模制式，TDD/FDD 共模为TD-LTE标准的国际化推广提供了强有力的支撑，而兼容TDS/GSM将助力2G，3G市场向TD-LTE的平滑演进。

　　该多模数据卡采用了创毅40nm工艺 WarpDrive 5000基带芯片，支持FDD /TD-LTE/TDS/GSM/GPRS/EDGE 多模制式，最高可实现150Mbps的下载速率和50Mbps的上传速率，支持700M~3.5GHz全频段，可实现TD-SCDMA/GSM双模自动切换。WarpDrive 5000采用超低功耗设计，支持多种上下行配比及同频、异频测量和切换，支持CAT4速率等级，下行高达150Mbps，值得一提的是该款产品是全球第一款支持先进的双流波束赋形TM8传输技术的基带芯片。

　　作为国内主要的TD-LTE芯片供应商，创毅早在2007 年就启动了TD-LTE 终端基带芯片研发项目。2010 年4 月创毅成功推出全球首枚TD-LTE 终端芯片与终端数据卡，并服务于2010 年上海世博会。2011年5月创毅率先入选由工信部组织的“6+1”城市TD-LTE 第一阶段规模技术试验网测试，并在厦门，广州，杭州，南京，深圳，与多家系统厂商展开测试，2011年底，创毅又成为首批入围第二阶段TD-LTE 规模技术试验网测试的芯片厂商。同时，创毅也在加速支持4G标准TD-LTE-Advanced的基带芯片研发进度，预计将在2013年推出支持TD-LTE-A的基带芯片。

　　随着2012年TD-LTE试点城市规模试验第二阶段的开始，TDD与FDD共模，并兼容现有的2G和3G制式，从而为TD-LTE终端产品预商用奠定坚实基础将成为中国移动TD-LTE规模试验网测试的主要内容。与此相对应，多模TD-LTE终端芯片将成为市场的主流趋势，在未来较长一段时间，是否同时支持FDD并兼容2G和3G 制式将成为检验TD-LTE芯片技术成熟与否的一个重要标准。