飞兆单一P沟道具有小体积和低导通阻抗

　　飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 现为手机和其它超便携应用的设计人员提供一款P沟道PowerTrench  MOSFET器件，满足其对具有出色散热性能的小尺寸电池或负载开关解决方案的需求。

　　FDMA905P和FDME905PT是具有低导通阻抗的MOSFET，这些器件具有出色的散热性能和小占位尺寸，也非常适合线性模式应用。

　　特性和优势

　　FDMA905P:

• 采用2mm x 2mm MicroFET™ 封装，器件高度 – 最大0.8mm
• 确保低R_DS(ON) (MAX R_DS(ON) = 16mΩ at V_GS = -4.5V, I_D = -10A)
• 具有出色的散热性能(R_ΘJA = 52 ℃/W)

　　FDME905PT:

• 采用1.6mm x 1.6mm 薄型MicroFET封装，器件高度 – 最大0.55mm
• 确保低 R_DS(ON) (MAX R_DS(ON) = 22mΩ at V_GS = -4.5V, I_D = -8A)
• 具有出色的散热性能(R_ΘJA = 60 ℃/W)

　　FDMA905P和FDME905PT不含卤化物和氧化锑，满足RoHS标准的要求。两款器件均可在低电压下安全运作，适用于手机和超便携设备。