半导体技术进入10纳米世代材料、机台将是2大挑战

        半导体产业制程演进速度愈来愈快，英特尔 (Intel) 22纳米制程即将进入量产，台积电制程技术也进入28纳米，DRAM技术制程年底进入30纳米，2012年将进入20纳米世代，而NAND Flash产业制程在2011年则是26、27纳米制程，2012年将进入20、19纳米制程，半导体业者预计未来2、3年会进入14纳米制程世代。

        半导体业者表示，制程技术愈往下微缩，尤其是半导体制程技术在进入10纳米制程以下，新机台和新材料会是半导体业者面临的2大挑战，以新机台设备为例，超紫外光微影(EUV)价格昂贵，对于半导体业者而言相当头痛，平均1台EUV机台设备要1亿美元，折合新台币要30亿元左右，对晶圆厂而言是非常高价的投资。

        台积电研发资深副总蒋尚义曾表示，台积电在14纳米制程还未决定采用哪里一种机台设备，EUV机台效率让晶圆产出不如预期，半导体制程技术未来不论是用EUV技术或是多电子光束无光罩微影技术(MEB)，半导体设备端都是很大问题，需要再加把劲。

        半导体材料方面，国研院国家纳米元件实验室表示，相较于矽基材，纯锗材料的晶体管运行速度可提升2~4倍，而「三角型锗鳍式晶体管」技术则可克服矽基材上锗通道会出现缺陷的问题，可实现10纳米晶体管元件；再者，「银金属直立导线技术」则是利用底部成长(bottom-up)方式，突破传统钨金属栓塞结构在尺寸微缩时的制程瓶颈。

        国家纳米元件实验室分析，银是目前电阻值最低的金属，可符合10纳米世代金属导线制程需求。

        再者，在矽芯片上制作绿色环保双面入光型高效率太阳能电池，结合铜铟镓硒薄膜晶体管技术，可开发「自供电力线路模块的矽基太阳能元件」，包含多项与集成电路后段连导线兼容的关键技术，包括低温(~400°C)铜铟镓硒薄膜共蒸镀技术、无钠无镉绿色环保制程技术和高光采集率表面粗糙化技术，可紧密与半导体产业及技术结合。