Vishay推出新款n沟道功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。对于军工、航天和航空应用，这些采用密封TO-205AD(TO-39)封装的器件兼具低导通电阻和快速开关的性能。

　　Vishay Siliconix的工厂位于加州Santa Clara，已被DSCC重新认证，可采用MIL-PRF-19500标准对所生产的MOSFET进行筛选。在用于军工和重要航空应用的系统中，MIL-PRF-19500标准树立了对分立器件的性能、质量和可靠性要求的准绳。

　　今天推出的器件适用于TTL/CMOS直接逻辑电平接口，继电器、螺线管、灯、电锤、显示器、存储器和晶体管的驱动，以及电池供电系统和以及固态继电器。MOSFET的密封TO-205AD封装可承受军工和航天应用中更高的温度。

　　60V 2N6660JANTX/JANTXV在10V下的典型导通电阻低至1.3Ω，栅源阈值电压为1.7V，开关速度为8ns。90V 2N6661JANTX/JANTXV在10V下的典型导通电阻为3.6Ω，栅源阈值电压为1.6V，开关速度为6ns。两款器件均具有低输入和输出泄漏，以及低至35pF的典型输入电容。

　　2N6660ANTXV和2N6661ANTXV按照MIL-PRF-19500的各项标准进行了100%的内部视觉(在封盖前)检验。除减少2个步骤(MIL-STD-750标准的视觉检验和加工)以降低成本以外，Vishay还对这些产品进行了Group A、Group B、Group C和Group E检测，以进一步提高产品的可靠性。