宏力与力旺扩大合作开发多元解决方案与先进工艺

　　晶圆制造服务公司宏力半导体与嵌入式非挥发性存储器(embedded non-volatile memory, eNVM)厂商力旺电子共同宣布，双方透过共享资源设计平台，进一步扩大合作范围，开发多元嵌入式非挥发性存储器解决方案。力旺电子独特开发的单次可编程OTP (NeoBit)，与多次可编程MTP (NeoFlash/NeoEE) 等eNVM技术，将全面导入宏力半导体的工艺平台，宏力半导体并将投入OTP与MTP知识产权(Intellectual Patent, IP)的设计服务，以提供客户全方位的嵌入式非挥发性存储器解决方案，将可藉由低成本、高效能的优势，服务微控制器(MCU)与消费性电子客户，共同开发全球市场。

　　宏力半导体与力旺电子自2005年起即于OTP工艺平台展开合作，近期双方成功推出的0.18微米3.3V/5V低成本、高效能OTP工艺平台已有数十项产品相继投入量产。此次扩展合作范围，除包括原有的OTP工艺平台，更扩大倒入至MTP领域，预计将能以更完整的嵌入式非挥发性存储器工艺平台，强化技术服务支援广度，满足更多不同客户需求。

　　宏力半导体企业发展与战略暨法务单位副总裁傅城博士表示：“结合力旺电子卓越的技术与服务支援能力，宏力半导体将能提供客户极具竞争优势的低成本嵌入式非挥发性存储器工艺平台，包括OTP与MTP技术，相信能为客户进一步降低制造与研发成本，加速产品上市时间。展望未来，宏力半导体将持续发展高附加价值的差异化工艺，协助客户在微控制器与消费性电子市场中掌握制胜先机。”

　　力旺电子总经理沈士杰博士表示：“力旺电子非常荣幸能与宏力半导体展开更深入的合作，使力旺电子的单次可编程OTP (NeoBit)，与多次可编程MTP (NeoFlash/NeoEE) 等eNVM技术，能够全方位导入宏力半导体的各项工艺平台，再加上宏力半导体在NVM IP设计服务工作的投入，为客户带来更具竞争性的嵌入式非挥发性存储器解决方案，未来双方也将持续紧密合作，以提供市场更具成本效益且性能卓越的嵌入式非挥发性存储器平台。”

　　目前宏力半导体与力旺电子合作的0.18微米逻辑与高压OTP工艺平台已完成建置，并已进入量产阶段多年;0.13微米OTP工艺平台预计于2011年底通过可靠性验证;0.18微米的MTP工艺平台则预计于2012年Q1通过可靠性验证，届时可提供更加丰富的嵌入式非挥发性存储器IP组合，进而使应用产品端客户进一步受惠。