Spansion推出业内首款4Gb NOR闪存

　　Spansion公司日前发布了业内首款基于65纳米生产技术的单芯片4Gb(千兆比特)NOR闪存产品——4Gb Spansion GL-S。通过高速读取以及出色的质量保证，协助游戏及汽车应用提供更完美的交互图像、动画及视频服务，从而提升用户体验。

　　此款Spansion GL-S系列的新成员将在本月开始供样。基于Spansion所拥有的高可靠性MirrorBit®电荷捕获技术，Spansion GL-S系列与同类NOR闪存产品相比在读取性能方面的有了45%的提升。 该系列产品目前能提供从128Mb到2Gb的存储方案并已经在消费电子、汽车、游戏、通讯和工业应用领域有诸多领先的成功案例。

　　高速随机读取性能在诸如游戏和车载娱乐信息应用等领域尤为关键，这些领域往往需要丰富立体的三维图像、快速移动和交互性。下一代游戏开发将把智能手机的多点触控体验引入电子游戏界面，因此对软件和处理器性能的需求将增加，由此对闪存的快速读取性能的要求也将不断提升。另外，高分辨率显示的特性同样需要更高质量的图形处理和高密度闪存。

　　主要特性：

　　Spansion GL-S系列及其具备的高性能，非常适用于手持消费游戏、游戏盒、手持学习设备、如街机游戏、资讯站等产业娱乐设备以及车载信息娱乐系统等应用。

　　 4Gb GL-S产品今年8月供样，将于2011年第四季度开始量产。

　　 Spansion GL-S系列现提供产品密度范围128Mb至2Gb。

　　 在原先67.4MB/s页面浏览速度上提升45%至98.5MB/s。

　　 第三方数据表明，GL-S产品相较同类产品编程速度提升30%。

　　 65nm MirrorBit技术奠定了Spansion在高密度NOR闪存行业的领导地位。

　　 支持温度范围0℃至+85℃。

　　 补充的定制软件驱动程序和Flash文件系统软件