英特尔3D晶体管芯片将先在美国和以色列量产

　　英特尔大连芯片厂总经理柯必杰昨天透露，英特尔内部目前具备22纳米、3维晶体管芯片生产能力的工厂有5个，它们分别是在美国俄勒冈州的试验线D1D和D1C，在美国亚利桑那州的Fab-12和Fab-32，以及在以色列的Fab-28。

　　此外，英特尔在爱尔兰和中国大连也设有芯片制造工厂，但技术档次要比在美国和以色列的工厂低。随着英特尔新一代芯片制造技术在年底和2012年逐步量产，英特尔大连工厂(Fab-68)在2013-2014年有望获得更多从美国和其它地方转移过来的生产设备，大连工厂的技术等级也有望从目前的65纳米提升到至少45纳米的等级。