日本电子信息领域技术战略地图(二)存储记忆体子领域
一、日本存储记忆体技术战略地图制定背景
本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/117890.htm日本推出存储记忆体技术战略是基于这样一种背景之下:一方面随着INTERNET逐步向高速化发展,大容量视频图像传输的需求也在增加,相应的大容量存储器成为必要设备。另一方面消费电子设备,如数码相机、媒体播放器、手机等的多功能化、小型化的发展趋势,使得这些设备所需的存储记忆体也朝着大容量、低耗电的方向发展,已出现了能存储几十倍容量的服务器和移动设备。此外电子设备的瞬时启动和更长的工作时间也是未来的热点需求。因此存储记忆体技术是高效的信息处理不可欠缺的技术之一。
日本在存储体记忆技术领域的研发是围绕大容量、高速化、节能三方面展开的。这也是这次存储记忆体技术战略的重要思考。目前已有的研究项目如下:
在存储领域内,磁性存储与光学存储是重点,两者都已提高存储密度为目的。在“促进高先进电子技术开发项目”(1996~2001年)中,研发垂直磁性记录方式,以提高硬盘存储密度。“纳米光控的开发”(1998~2002年)中部分研究成果,已经应用在蓝光光盘系统的开发中。
在内存方面,过去重点是磁阻内存(MRAM)研究,而现在重点是“自旋内存”,在“自旋电子学非易失性性能项目”中,利用电子的自转,将全新的原理应用到内存技术当中,推进着自旋内存的研发。
在未来内存技术方面,重点是纳米槽内存,对应的项目是从2007年开始的纳米电子学的研发项目。
在绿色节能方面,从2008年开始了“绿色IT计划”,着手低耗电硬盘等技术研发。
二、日本存储记忆体技术战略地图研究领域
1、存储记忆体设备
项目
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研发技术
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主要的性能目的
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磁性存储
(HDD)
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媒介技术(模式媒介、热辅助对应媒介)
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大容量、节能
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记录头技术(热辅助技术、微型加工技术)
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大容量、节能
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再生头技术(TMR、CPP-GMR、自旋电子学应用)
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大容量、节能
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光学存储
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高数据运送加速技术(并行处理)
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节能
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比特微型化技术(超级镜片、SIL)
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大容量、节能
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三维记录技术(全息图、2光子吸收)
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大容量、节能
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FLASH
(NAND型、NOR型)
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低纵横比单元(纳米点、TANOS)
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大容量
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多值化技术(低单元间干扰、铁电体门绝缘膜)
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大容量
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多层化技术(3D、BiCS)
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大容量
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FeRAM
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新存储单元构成技术(链型、1T型、三维电容)
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大容量
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材料技术(新铁电材料)
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大容量
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MRAM
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大容量化技术(磁感应型、自旋注入型、垂直磁化型)
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大容量
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高速读取技术(高功率、材料)
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高速化
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写入技术(倒自旋注入、磁壁移动)
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高速化、节能
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存储单元构成技术(高速、多层次、多值、交叉点、逻辑回路)
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大容量、高速化
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PRAM
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材料技术(新型相变材料 )
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大容量、高速化
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多值技术
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大容量
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3维(3D )
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大容量
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2、新设备
项目
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研发技术
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主要的性能目的
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ReRAM
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大容量化技术
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大容量
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材料技术
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大容量
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机构解明
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大容量
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PMC-RAM
(原子开关、纳米桥内存等)
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重写数增加技术
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节能
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低耗电技术
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节能
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卡片型全息图内存
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波导型(材料、构造、记录方式)
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大容量
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体积记录型(材料、构造、记录方式)
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大容量
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MEMS探针内存
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拓扑记录法
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大容量
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铁电/铁磁系统
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大容量
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磁壁移动固体内存
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自旋电子学技术
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大容量
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高集成化技术
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大容量
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有机内存
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材料技术
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节能
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分子内存
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大容量技术、低耗电技术
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大容量、节能
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纳米管内存
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微型处理器技术
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大容量、高速化
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