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日本电子信息领域技术战略地图(一)半导体技术子领域

作者:时间:2011-03-21来源:上海科学技术情报研究所 宋凯收藏

  自1980年建立以来,日本新能源产业技术综合开发机构(NEDO)在日本技术发展领域发挥着独特的作用。作为日本最大的公共研发管理组织,它是联系官、产、学、研的重要枢纽(如下图)。它的主要活动包括推进先进技术的研发、新能源和节能技术的推广和国际合作项目。

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/117889.htm

  NEDO每年都要在各先进技术领域中征集新技术课题,予以研究支持。在征集技术课题的计划中,NEDO会明确立题的目的和重要性、新课题的范围或研发方向、相关的技术战略图、以及已有的相关项目,从中我们可以看到日本在先进技术领域的研发重点和动向。以下将简介2009年度NEDO在领域的技术课题征集计划中的技术战略图,涉及、网络、存储记忆体、软件等领域。

  一、日本技术战略地图制定背景

  日本制定技术战略的原因主要有三个方面:

  一是日本将半导体技术定位为泛在社会的基础,是产业内非常重要的核心产品,可以提高信息家电、汽车、产业设备、医疗设备等各种产品的附加价值。

  二是半导体技术的研发和产业化是一个系统化工程,经费巨大,需要各方面的合作,包括政府主导与企业的合作、企业间的产业联盟等。

  三是日本需要提高半导体产业内的发展竞争力,并在全球激烈的市场竞争中取得胜利。

  日本的半导体技术战略图是在国际半导体发展路线图(ITRS)的基础上,结合该国产业发展需要,抽取了日本所需的的重要半导体技术,以低耗电技术为中心,同时考虑了纳米、新材料以及硅以外的半导体技术的深度应用,以及制造工程的因素,进行细化。

  日本认为半导体技术未来的发展趋势是微型化、高性能化、低耗电、新材料新技术的应用(Beyond CMOS)。因此第二代以或者更后面几代的半导体技术的研发值得关注。

  日本已有的半导体技术相关项目有:1、“第二代半导体材料、过程基础技术的开发(MIRAI)项目”(2001~2010年)。其中开发的成果-Selete技术转移给有限公司,取得了显著的效果。2、考虑制造时过程的变化而进行设计的“第二代过程友好设计技术开发”(2006~2010年),以及在半导体中引入了新思想的“半导体应用芯片项目”(2005~2009年)都正在实施当中。

  这次半导体战略有以下几方面的思考:1、将半导体技术按照业务类型进行分类。2、对半导体的安全性、可靠性、省电性等进行重要技术的分类整理。因此按照技术动向的发展,对LSTP设备技术、装配技术、制造技术、配线技术的内容进行修改。

  二、日本半导体技术战略地图研究领域

  在日本半导体技术战略地图上,将研究领域分为两大块,一是系统LSI(SoC)领域,性能目标是高速、多功能、低耗电,制造目标是低成本、QTAT(快速周期)、生产种类繁多。二是非CMOS领域,性能目标是:性能超越硅,超高速、大功率密度、低耗电、具有新功能等。

  每个领域设置若干项目,层次依次为大项目、中项目、中项目细分或小项目。系统LSI(SoC)领域共有10项大项目,非CMOS领域有2项。以下各表列出的是重点项目,其中斜体字的是小项目。

  (一)、系统LSI(SoC)

  1、(大项目)LSTP(低待机功率)设置技术 

中项目
中项目细分(小项目)
设备微型化
栅极长度和栅极介质的减少
面向纳米CMOS的新技术
晶体结构
¨       大批量CMOS
¨       UTB FDSOI
¨       双栅场效应管(Fin FET)
¨       Steep Switching FET
流动性改善技术
¨       应力堆积膜
¨       嵌入硅锗源汲极(Embedded SiGe on S/D)
¨       SGOI、GOI
¨       基板的面方位(100)或(110)
金属栅和High-k技术
¨       金属栅/Hf系High-k
¨       金属栅/La系High-k
新的晶体管和准弹道行为
¨       Ge通道
¨       Ⅲ-Ⅴ族通道
¨       纳米线晶体管
¨       准弹道行为
参数变化控制技术(阈值电压控制)
¨       基板的偏差
¨       独立多栅控制
混载技术
内存混载技术
¨       SRAM寿命延长技术
¨       绝缘的SOI  DRAM
¨       高速访问非易失性存储器
应用混载技术
¨       IC标签
¨       传感器芯片
¨       大规模网络使用的芯片
薄膜晶体管
¨       显示屏混载TFT
仿真技术
器件仿真技术
¨       弹道传导
¨       原子层处理模型
¨       可靠性模型
¨       统计可靠性模型
¨       纳米层材料设计模型
¨       非典型CMOS紧凑模型
¨       引入量子效应的电路模型

 

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关键词: 电子信息 半导体

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