华虹NEC隆重亮相2010 IC设计年会

　　“2010中国半导体行业协会集成电路设计分会年会暨物联网与IC设计高峰论坛”于2010年12月1～3日在无锡召开。本次年会的主题是“加大产业整合，培育国产品牌，推动产业更好更快发展”。

　　世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司(“华虹NEC”)派出了由市场部、销售部、设计服务部和技术研发部组成的强大阵容出席此次盛会。华虹NEC在会场设置展区，展示了一年来的最新技术成果，包括多种新型BCD、0.13/0.18微米SiGe等工艺平台。这些新的工艺平台将为LED照明、电源/电池管理以及无线射频、物联网等新兴应用提供最佳代工解决方案。

　　华虹NEC技术研发部高级专家钱文生博士在“Foundry与工艺技术”的专题论坛上做了题为“在物联网中大有作为的锗硅BiCMOS技术”的精彩演讲，博得了与会者的一致认可和好评。他介绍说，国家加快推进七大战略性新兴产业，这将给集成电路和物联网产业带来巨大的发展机遇。目前公司正大力研发国际先进的0.13微米SiGe BiCMOS技术，并已取得重要阶段性成果。今后将继续开发性价比更高的射频工艺技术平台，为进一步做大做强我国物联网产业做出更大贡献。

　　公司销售与市场副总裁高峰先生说：“IC设计年会为业界提供了一个很好的平台，也让我们与众多国内外同仁就最新技术进展、市场发展趋势以及业务合作前景进行了充分探讨和交流。华虹NEC将继续专注嵌入式非挥发性存储器、模拟/电源管理芯片、高压、射频以及功率器件等五大特色工艺平台，一如既往地支持国内设计产业发展，聚焦巨大的内需与新兴应用市场，实现设计与代工企业的共赢。”