DRAM产业Q3营收仅增3.4%

　　集邦科技旗下研究部门DRAMeXchange调查，全球DRAM产业第3季营收数字达108亿美元，虽然DRAM 总产出量季成长15%，但在第3季合约价跌幅超乎预期拖累，相较于上季营收104亿美元，仅微幅成长约3.4%。而在全球市占上，韩系DRAM厂第3季已囊括全球61.2%市占率，日系厂占16.3%，美系厂占12.2%，台厂则微幅下滑至10.3%。

　　集邦表示，第3季DRAM合约价受到DRAM产出增加与PC需求旺季不如预期影响，价格呈现下滑走势，第3季DDR3 2GB合约均价为40美元，较上季的46美元下滑约13%，现货市场DDR3 1Gb eTT颗粒均价则较上季下跌18%至2.27美元，DDR2 1Gb eTT则下跌约16%。

　　从全球DRAM厂自有品牌内存营收排名来分析，韩系厂商三星营收仍居全球DRAM厂之冠，季成长21.9%，营收成长贡献来自DRAM产出增加20%以上， DRAM均价也微幅上扬，DRAM市占率由第2季的34.3%大幅成长至40.4%。

　　海力士第3季受到46nm良率提升不如预期，DRAM产出仅增加2%，均价下跌9%影响，市占率由上季的21.6%下跌至19.8%。

　　日系厂商尔必达第3季营收季减9.4%，市占率也由18.4%下降至16.1%. 主要因为在40nm制程上转进仍居初期，产出仅微幅成长。

　　在华亚科制程转换下，投片及产出减少影响，美光第3季DRAM产出减少12%，DRAM均价也微幅下跌，造成第3季营收下跌约10%，市占率也下跌至12%。

　　而在台系厂部分，南科虽来自华亚科厂的产出减少，自有DRAM产出成长率在50nm转进及投片增加下，总销售位本季成长14%，但受到DRAM销售价格下跌15%拖累，第3季营收下滑约5.2%，市占率也微幅下降至4.2%。

　　力晶为台系厂表现最佳的厂商，在63nm制程比例增加及良率提升的挹注下，第3季营收为2.75亿美元，与第2季相比上升12.9%。

　　华邦电虽然第3季营收季减2.7%，但由于华邦电已经淡出标准型内存市场，较不受此波DRAM价格下探影响，对于后续表现仍可抱持谨慎乐观的态度。

　　集邦表示，以各国市占率版图来分析，第3季韩系厂商市占率达61.2%，美系及日系厂商市占率皆有下滑，各有12.2%及16.3%的市占率，台系DRAM厂方面市占率则由上季的10.5%微幅下滑至10.3%。

　　由于DRAM价格急速下滑，使各DRAM厂对未来资本支出转趋保守，如三星Fab16的建设，将视未来市场状况做调整，台系厂如力晶也下修资本支出约20%，至160亿元，而日台合资的瑞晶R2厂扩厂计划也延后讨论。

　　集邦预估，此波DRAM价格下跌，第4季跌幅将增大至30%以上，价格可望在明年第1季或第2季落底，DRAM厂可能在明年上半年资本支出将保守以对。