挑战快闪存储器　首款CBRAM预计明年亮相

　　一家股东包括半导体设备大厂应用材料(Applied Materials)的新创存储器公司Adesto Technologies，正准备推出首款导电桥接随机存取存储器(conductive-bridging RAM， CBRAM )。 CBRAM 是一种低耗电、与CMOS兼容的存储器，可客制化应用在广泛的离散式或嵌入式市场，该公司打算最快在2011年第一季推出首款 CBRAM 样品。

　　在近日于美国举行的非挥发性存储器研讨会(Non Volatile Memory Conference)上，Adesto表示其 CBRAM 是以可编程金属化单元(programmable metallization cell，PMC)技术为基础，采用130奈米制程。该公司开发此种存储器技术已有好一段时间，是由美国亚利桑那州立大学(Arizona State University)独立而出的Axon Technologies公司，取得PMC技术授权。

　　CBRAM 与FRAM、MRAM、相变化存储器(PCM)、RRAM等新一代存储器，都是有机会取代传统快闪存储器的接班技术。Adesto资深业务开发总监Ed McKernan表示，CBRAM能够被客制化以取代 EEPROM 、快闪存储器等等;他强调，新的CBRAM在外观与功能上与目前的EEPROM类似，但尺寸较小、也更具成本优势。

　　Adesto正在开发的1Mbit元件，是采用标准130奈米制程，在后段制程(back-end-of-the-line process)将整合铜材料;这意味着该技术具备需要在后段制程加入两个非关键光罩步骤(non-critical mask steps)的可编程元素。

　　而该元件的记忆保存周期，据说在摄氏70度以内可达10年，其运作电压仅有1V;且因为采用130奈米制程，最大写入电压小于1.6V，编程电流小于60uA，每单元编程时间小于5us、抹除时间小于10us。

　　Adesto 在简报中介绍，其CBRAM 元件是利用了一种阳离子固态电解质(cation-based solid electrolyte)技术，也是Axon所授权之PMC技术的关键之一。根据Axom公司网站的介绍，该定义存储器性能的机制，是其专利技术，采用一种非晶薄膜(amorphous film)以及两个金属触点(contact)。

　　据Axom的资料，该技术是利用了某些非晶材料鲜为人知的一个特性，也就是能合并(incorporate)数量相对较多的金属，并做为固态电极;在适当的偏压(bias)条件下，电极中的金属离子会减少，并在材料中形成导电通道，而该流程也能轻易逆转，重新形成绝缘非晶层。

　　在2001与2004年，美光(Micron)和英飞凌(Infineon Technologies)亦曾陆续与Axon签订PMC技术的非独家授权协议，但都没有实际应用成果。成立仅三年的Adesto则是唯一专注于利用该技术的公司，打算推出相关产品与提供授权业务;目前该公司似乎有晶圆代工伙伴，但不愿透露伙伴名称。