IR 推出全新 HEXFET 功率MOSFET系列
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装，具有超低导通电阻 (RDS(on)) ，适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动，以及电信设备等应用。
本文引用地址：http://www.amcfsurvey.com/article/111089.htm新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中压硅技术，通过大幅降低90% RDS(on)显著改善了电流处理能力，为客户的特定应用优化了性能及价格。
IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“这个全新的SOT-23 MOSFET系列支持从 -30V至100V的宽电压范围，并提供不同水平的 RDS(on) 和栅极电荷 (Qg) ，从而为追求紧凑、高效率及低成本解决方案的客户带来更佳、更广泛的设计选择。”
新器件达到第一级潮湿敏感度 (MSL1) 业界标准，所采用的材料不含铅，并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。
产品规格
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器件编号 |
BVDSS |
25°C下的最大Id |
10V下的 典型 / 最大RDS(on) (mΩ) |
4.5V下的 典型 / 最大RDS(on) (mΩ) |
典型Qg |
|
IRLML9301TRPBF |
-30V |
3.6 A |
51 / 64 |
82 / 103 |
4.8 nC |
|
IRLML9303TRPBF |
-30V |
2.3 A |
135 / 165 |
220 / 270 |
2.0 nC |
|
IRLML0030TRPBF |
30V |
5.2 A |
22 / 27 |
33 / 40 |
2.6 nC |
|
IRLML2030TRPBF |
30V |
2.7 A |
80 / 100 |
123 / 154 |
1.0 nC |
|
IRLML0040TRPBF |
40V |
3.6 A |
44 / 56 |
62 / 78 |
2.6 nC |
|
IRLML0060TRPBF |
60V |
2.7 A |
78 / 92 |
98 / 116 |
2.5 nC |
|
IRLML2060TRPBF |
60V |
1.2 A |
356 / 460 |
475 / 620 |
0.4 nC |
|
IRLML0100TRPBF |
100V |
1.6 A |
178 / 220 |
190 / 235 |
2.5 nC |
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