ASML整合微影方案获意法采用

　　受惠于晶圆代工与DRAM厂推出先进制程，对浸润式显影机台需求大增，让半导体设备大厂艾斯摩尔(ASML)2010年接单畅旺，随著半导体制程推进5x奈米以下先进制程，制程复杂度大增，亦需加紧提高量良率，让ASML甫于2009年推出的整合微影技术(Holistic Lithography)系列产品，已获得意法半导体(STMicroelectronics)采用于28奈米制程。

　　ASML指出，随著半导体制程推进到50x奈米以下制程，业者投入的经费越来越高昂，生产时程亦拉得更长，良率更难提升，制程容许度(process window)更小，让制程人员再研发过程中更为吃力，亦考验电路设计、光罩及曝光机的稳定性。

　　ASML进一步指出，为协助客户缩短研发时程，并延续摩尔定律(Moore’s Law)，并能够实际将制程导入生产线，确保生产线稳定，ASML致力于新型设备的开发，并将设备、软件与量测等系统结合，提供更大的设计自由度。

　　ASML 于2009年推出Holistic系列产品，其中包括可编程照光技术 (FlexRay)和反馈式调控机制 (BaseLiner)，以及量测设备YieldStar。ASML指出，在Holistic系列产品的架构下，ASML亦结合软件、辅助硬件应用支持，为客户量身打造Eclipse解决方案，满足每个客户不同的需求。

　　由于进入2x奈米以下制程，半导体业者多采用双重曝光(double- patterning)微影技术，但在曝光的同时，也容易造成误差，同时，1个晶圆厂中，数十台的曝光机也多少会有误差产生，虽然这些误差在一定的范围内，仍可容许，不过随著需求的大幅成长，半导体业者亦积极提升制程量良率，因此进而带动对ASML整合微影产品的销售。

　　ASML表示，最新的Eclipse系列产品，已有包括ST等多家半导体大厂采用，ST采用TWINSCAN NXT 1950i型曝光机，用于28奈米制程，可提升堆叠的准确度。ASML进一步指出，公司也正在将Eclipse产品推向20奈米制程。

　　ASML 表示，TWINSCAN NXT 1950i机台首季出货9台，第2季出货数据将于近期法说会公告，累计至今，全球已有50万片晶圆采用该机台进行曝光。