X-FAB公布首款0.35微米100V高压纯晶圆代工厂技术

　　X-FAB Silicon Foundries，业界领先的模拟/混合信号晶圆厂及“超越摩尔定律”技术的专家，今天公布了业界首款100V高压0.35微米晶圆厂工艺。它能用于电池管理,提供新类型的可靠及高性能电池监控与保护系统。它也非常适合用于功率管理设备，以及用于使用压电驱动器的超声波成像和喷墨打印机的喷头。此外，X-FAB加入了新兴改良式N类与P类双扩散金属氧化物半导体(DMOS)晶体管，对于达到100V的多运作电压，导通电阻可降低45%，晶片的占位能够降低40%，从而降低了晶粒的成本。X-FAB将于7月27日至28日向全球提供一次免费的网络讲座,探讨这些新功能，网络讲座的议题是“将业界首款0.35微米100V纯晶圆代工厂工艺应用于高压装置” 。

　　X-FAB首席技术官Jens Kosch说：“随著可再生能源越来越流行，混合动力与电动车、光电池与风力涡轮机等都需要安全高效的能源存储管理方案。當客户使用X-FAB最新的专业高压工艺時,便能够应对这些问题,以及用较低的成本应对其他一些潜力巨大的新兴设备。例如我们发现锂电池的功率管理解决方案很受关注，全球的主要汽车制造商都表现出浓厚兴趣。通过X-FAB的最新HV工艺，他们就能实现更安全、更高性能的电池监控与保护系统。”

　　各功能的平均成本更低

　　X-FAB最新改良型N类与P类DMOS晶体管门氧化物厚度为14纳米或40纳米，客户根据其设备的要求有5V或12V驱动能力可选，操作电压为55V、75V和100V。通过大幅降低导通电阻，将EEPROM功能集成到基线工艺，进行修整和程序存储，并使用一个厚金属层作为第三个金属层，X-FAB已经大大降低了各功能的平均成本。此外，新加入的独立5V NMOS与PMOS设备能够操作于0V至 100V之间的电压。其他设备改良包括肖特基(Schottky)二极管、20V与100V高压电容，以及双极晶体管。

　　供应情况

　　以上的所有功能与设备目前已经作为X-FAB的0.35微米高压工艺产品(XH035)的一部分推出。