挺进20nm：台积电2011年将开始在Fab12工厂装用ASML产EUV光刻设备

　　据台积电公司负责技术研发的副总裁蒋尚义表示，2011年台积电从荷兰ASML公司订购的极紫外(EUV，波长13.5nm)光刻设备将运抵厂内，这批订 购的设备将为台积电公司2013年将公司制程能力升级到20nm级别铺平道路.蒋尚义是在本月24日举办的台积电技术论坛会议上说出这番话的,他同时还指 出EUV光刻技术要想投入商用还需要更加成熟，另外他还透露这批订购的EUV光刻工具每小时能刻制100片晶圆。

　　台积电首批EUV光刻设备将被安装在300mm Fab12工厂内，而台积电未来的研发重点则将放在28nm及更高级别制程技术的研发方面。

　　台积电早些时候曾宣布他们会跳过22nm制程节点，直接从28nm节点跳至20nm制程，这家公司透露将于2012年下半年开始20nm制程芯片的试产。

　　EUV(极紫外光：波长13.5nm)是目前比较流行的DUV(深紫外光：波长193nm)光刻技术的下一代技术，与眼下流行的沉浸式光刻+193nm波长技术这种增加光刻系统数值孔径的方案相比，EUV从另外一个方面即直接缩短光波的波长入手来提升制程的等级。不过目前EUV光刻技术由于需要重新开发光掩膜技术，提升光源功率，因此这项技术要想走向主流仍有较多困难需要克服。