三星将加大40nm制程DDR3内存芯片产能

　　顶级内存/闪存芯片厂商三星公司近日宣布由于Intel至强5600系列新处理器的出炉，刺激服务器厂商对DDR3内存的需求量大增，因此公司将增加 40nm制程DDR3内存芯片的产能。三星表示其40nm制程DDR3内存芯片产品的耗电量将比60nm制程产品低40%左右，目前其40nm制程 DDR3内存芯片产品的型号主要有1Gb/2Gb/4Gb几种，可用于制作1GB/2GB/4GB/8GB/16GB以及32GB registed内存条。

　　三星半导体公司的副总裁Jim Elliott表示：“当与至强5600系列处理器以及5500/5700平台配合使用时，DDR3内存能显著改善系统的内存数据传输效率，同时功耗水平也大有下降，非常适合各类企业服务器应用。而我们的低功耗DDR3内存解决方案则将在新一代绿色服务器设计中扮演至关重要的角色。”

　　三星自从2009年春季便已经开始了40nm制程DDR3内存芯片的生产。