USB 3.0电路保护方案
泰科电子的内部检测表明，热插拔引起的瞬态，尽管时间很短暂，但电压幅度却可能超过16~24V。内部检测还发现第三方充电器的开路电压超过了5V ±5%的USB规范要求。在所有USB受电设备，尤其是VBUS端口上安装过压保护器件(如PolyZen聚合体保护zener二极管器件)可以有效防止因电压瞬态而受损。对于USB 3.0设备来说，PolyZen器件可酌情置于USB输入端口、Power -B插头和母插孔电源端口上。
本文引用地址：http://www.amcfsurvey.com/article/106465.htm过压瞬态往往是ESD造成的，电源总线和数据总线上都可能出现。尽管现代集成电路可以抵御最高2000 V的电压，但人体本身却能轻易地聚集高达25000V的静电。在I/O端口保护应用中，数据线上需要具有快速钳位和恢复响应的极低电容ESD器件。
现有USB 2.0协议支持最高480Mbps的数据传输速率、即插即用、热插拔安装和运行。比较而言，USB 3.0规范支持的数据传输速率高达5Gbps，并向下兼容低速USB 2.0规范。
USB 3.0在连接上增加了四个新引脚来支持全新的SuperSpeed接口：USB3_TX (差分线对)和USB3_RX(差分线对)，如图4所示。
USB 3.0的SuperSpeed接口需要比USB 2.0电容更低的ESD保护。增加极低电容PESD器件可以减小插入损耗，满足USB 3.0的眼图要求。PESD器件的典型电容为0.2pF，超过6 GHz范围内插入损耗平稳，同时可以应对各种ESD瞬态。
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