三星：12寸厂到2015年将不符经济效益

　　三星电子(Samsung Electronics)高层近期表示，2010年全球半导体市场成长最快的是亚洲地区，消化全球70%芯片产出，未来包括PRAM 、OXRAM、STT-MRAM、Polymer Memory等技术，皆有助于提升效率并降低成本，都是存储器技术的明日之星，而现在位居主流地位的12寸晶圆厂，预计到2015年将不符合经济效益，届时将迎接18寸晶圆厂时代来临。

　　三星电子资深副总裁文周泰(Joo-Tai Moon)日前参加首尔SEMICON国际半导体展时指出，在全球半导体市场中，亚洲地区成长最快，预计在2011年底前会消化全球70%芯片产出。他同时认为，包括PRAM (Phase change memory)、OXRAM (Oxide-based memory)、STT-MRAM (Electro-resistant magneto-tunnel affect)等新兴技术，将成为存储器技术的明日之星，预计现在居主流地位的12寸晶圆厂，到2015年便将不符合经济效益。

　　事实上，全球半导体产业景气逐渐回春，台积电和联电分别提高2010年资本支出至48亿及12亿~15亿美元，其中，大部分都是用于扩充12寸晶圆厂，晶圆双雄 2010年资本支出皆超过金融海啸前2008年的水平;三星电子2010年半导体资本支出则约8.5兆韩元(约73亿美元)，较2008年60亿美元成长逾20%。

　　在台湾DRAM产业方面，以台塑集团旗下南亚科和华亚科2010年资本支出规模最为可观，2家合计将支出达新台币720亿元。以整个台湾半导体产业来看，2010年设备市场规模将达59.2亿美元，2011年上看77.6亿美元，而2010年半导体材料市场规模可达78.5亿美元，2011年上看85.5亿美元。

　　未来在科技新产品应用上，三星认为，医疗照护、机器人和车用市场相当受到关注，其中，声音辨识加上空间视觉处理、人工智能等技术精进，对于机器人技术有很大挹注。另外，在存储器领域，未来发展恐将面临瓶颈。

　　目前存储器业者最烦恼的问题是，NAND Flash技术恐面临制程微缩极限，虽然业者声称NAND Flash技术在10奈米是可行的，但目前仅止于实验室阶段，未来3D技术可望解决此瓶颈障碍，因此，不少存储器大厂如三星、东芝(Toshiba)等都投入开发3D技术，近期新的电荷撷取快闪存储器(Charge Trap Flash;CTF)便逐渐崛起。

　　根据CTF架构，NAND Flash元件由钽金属(Ta)、氧化铝(Aluminum Oxide)、氮化物(Nitride)、氧化物(Oxide)和矽晶层(Silicon)组成，因此，亦称为TANOS架构，其运作方式是不使用浮动闸，而是从氧化层间的绝缘氮化矽层中撷取电荷，可控制所储存电流，避免资料流失。