美光、南亚科携手42纳米　加入DRAM新技术战局

　　美光(Micron)和南亚科正式宣布加入40纳米DRAM制程大战，今(9)日将携手宣布42纳米2Gb容量DDR3产品正式问世，同时也全面导入铜制程技术，与三星电子(Samsung Electronics)的46纳米、海力士(Hynix)44纳米和尔必达(Elpida)45纳米相比，美光阵营的每片DDR3晶圆尺寸由于体积最小且产出数量最多，预计在2010年第2季试产，而策略伙伴南亚科和华亚科也将于下半年导入42纳米制程，与尔必达旗下力晶和瑞晶导入45纳米的时间点相仿。

　　2010 年DRAM市场50纳米制程大战正热，但各厂也同步积极布局40纳米世代制程，预计40纳米制程效应下半年可逐渐显现。继三星导入46纳米制程之后，美光和南亚科也共同宣布42纳米2Gb容量DDR3产品正式问世，其主流电压与之前的1.5伏相比，42纳米电压以1.35伏作为标准，省电幅度可高达 30%。

　　根据DRAM业者透露，以每片晶圆产出(gross die)计算，美光以42纳米制程技术生产2Gb容量的DDR3数量约达1,280颗，三星的46纳米和海力士的44纳米，每片晶圆产出分别约 1,100~1,200颗和1,000~1,100颗，而尔必达的45纳米的每片晶圆产出约1,220颗，相较之下在良率相同情况，美光成本最低。

　　目前导入40纳米世代制程速度最快者为三星和海力士，但尚未到大量产出地步，业界推测仍在良率提升阶段，而尔必达已于2009年底宣示45纳米制程问世，而美光也将于2010年第2季正式试产，下半年将正式导入。

　　台厂南亚科、华亚科和瑞晶、力晶等，都将于第2季到第3季期间，开始试产40纳米世代技术，其中南亚科和华亚科下半年会以转进50纳米制程为主，公司认为 42纳米制程发酵，要等到2011年才会大量贡献;而力晶和瑞晶则是直接由65纳米转进45纳米，2010年技术主要目标就是全面导入45纳米。

　　值得注意的是，尔必达阵营的45纳米是采用6F2技术，目前也打算研发40纳米的4F2技术，预计成本可再较原本的45纳米制程减少20~30%，而这1颗新产品将由尔必达和力晶、瑞晶在台湾设立的研发中心操刀。

　　存储器业者分析，等各家DRAM厂都转进40纳米制程生产2Gb的DDR3后，预计每颗成本可降至1美元出头，届时各厂平均成本也大幅下滑，足以抵抗DRAM价格下跌压力。