新闻中心

EEPW首页 > EDA/PCB > 历史上的今天 > 2002年11月,我国直径6英寸半绝缘砷化镓单晶研制实现零突破

2002年11月,我国直径6英寸半绝缘砷化镓单晶研制实现零突破

作者:时间:2010-01-07来源:电子产品世界收藏
  2002年11月,中国科技集团公司第四十六研究所率先研制成功直径6英寸半绝缘单晶,实现了我国直径6英寸半绝缘单晶研制零的突破。

关键词: 电子 砷化镓

评论


相关推荐

技术专区

关闭