海力士调高资本支出 规模逼近华亚科

　　国际DRAM厂相继传来调高资本支出的消息，韩国大厂海力士(Hynix)宣布调高2010年资本支出，预估将从1兆韩元调高至1.5兆韩元，相当于12.7亿美元，虽然以全球的角度来看，2010年的资本支出仍高居全球第三大，然经此一调高，海力士明年资本支出规模已经接近华亚科(3474)的13.85亿美元，且资本支出的规模也是2007年的高峰以来，最大规模的一次行动。

　　目前已知将调高资本支出的国际厂商包括尔必达、三星半导体、华邦电，上周25日，韩国大厂海力士也跟进宣布调高资本支出。

　　根据外电指出，海力士在呈交韩国证交所的文件中指出，该公司2010年的资本支出将调高至1.5兆韩元以上，较原先预估的1兆韩元，大幅增逾50%，在2010年度的资本支出当中，多数投资将用来提升制程技术以及因应研发。

　　日前集邦科技(DRAMeXchange)公布的2010年全球DRAM厂资本支出统计中，海力士的资本支出约7亿美元，规模仅次于三星半导体的25.78亿美元，以及华亚科的13.85亿美元，然海力士调高之后的资本支出，虽然还是高居全球第三大，却与华亚科的13.85亿美元趋近。

　　海力士的资本支出在2007年达到历史巅峰，达23.12亿美元，之后就呈现逐年衰退的情况，2010年已经是2007年的高峰之后，首度突破10亿美元的资本支出，以明年全球DRAM厂合计资本支出达78.5亿美元计算，海力士的规模约当全球的16.1%。