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2005年10月9日,TD-SCDMA芯片工艺升级

作者:时间:2009-12-03来源:电子产品世界收藏

  10月9日,重邮信科开发出我国第一枚0.13微米工艺的手机核心---"通信一号"。就在此后一两天时间,凯明宣布推出采用90nm工艺的第二代增强型基带"火星",支持/GSM/GPRS双模和丰富的多媒体应用。而天、展讯也已表示第二代进入到90纳米工艺。

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/100555.htm

  点评

  TD-SCDMA产业化进程之快让人震惊,而天、凯明、展讯、重邮在核心芯片环节取得的突破将为我国赢得3G时代话语权。TD-SCDMA基带芯片工艺水平从0.18微米、0.13微米跨越到90纳米,这标志着我国3G通信核心芯片的设计能力已经提升到国际主流水平。这些核心芯片厂商要想在市场竞争中占有一席之地,必须加强TD-SCDMA业界企业间的有效合作,开发出真正有竞争力的商用手机产品。



关键词: TD-SCDMA 芯片

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